除了整形时间常数在0.25到6 μs的范围之外，半高斯放大器的单极输出端与ORTEC 572型相同。此输出端的较长整形时间常数可在低计数率下提供最佳能量分辨率。
在高计数率下，短整形时间常数是实现高处理量的必要条件。Ge辐射探测器中的电荷收集时间变化在如此短的时间常数下通常会严重降低能量分辨率。门控积分器通过积分单极脉冲下的区域和设置积分周期解决了这个问题，该积分周期可确保对由Ge辐射探测器中较慢电荷收集产生的较长脉冲进行完全积分。由此显着提高了能量分辨率，其处理量约为传统半高斯整形最大计数率的四倍。673型门控积分器输出可在比半高斯整形高得多的计数率下保持出色的分辨率和峰值位置稳定性。
其中的堆积判弃器用来最大限度地降低由两个或多个射线在一个放大器脉冲宽度内到达辐射探测器而引起的谱失真。堆积判弃器连接到多通道分析仪的反符合栅极，并为单极或门控积分器输出端提供保护。前面板开关允许手动或自动调整堆积盘棋器和基线恢复器的噪声阈值。手动模式适用于晶体管复位前置放大器。
673型适用于电阻反馈前置放大器和晶体管复位前置放大器（TRP）。利用晶体管复位前置放大器，可以在由前置放大器复位引起的过载持续时间内将从前置放大器复位信号得到的逻辑脉冲提供给673型的栅极输入端。栅极输入端与GI INH输出端的堆积判弃器信号进行“或”运算，并被多通道分析仪用来防止分析因复位而失真的脉冲。
单极输出端还可用作高性能半高斯整形放大器，可与各种类型的辐射探测器结合使用，包括锗辐射探测器、硅带电粒子辐射探测器、Si（Li）辐射探测器、正比计数器和闪烁辐射探测器。