ORTEC提供各种耗尽厚度的硅面垒型探测器，可满足众多研究应用的需求。
*所有分辨率测量均在21±1°C下执行和保证。
**用5.486-MeV天然α粒子测量。
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A 系列
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B 系列
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主要应用
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高分辨率带电粒子光谱测量（核物理与放射化学 ，空间物理学）
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粒子识别、望远镜探测器（核物理与放射化学，空间物理学）
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探测器类型
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部分耗尽的硅面垒
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全耗尽的硅面垒
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初始材料
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Si
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Si
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有效面积范围 (mm2)
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25-450
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50-450
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有效厚度范围 (µm)
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1000-2000
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150-2000
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保证工作温度范围*
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+25°C 至
–30°C
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+25°C 至
–30°C
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二极管结构
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金 - N型硅铝部分耗尽
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金 - N型硅铝全耗尽
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标称等效** 窗口的截止能量
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入口
800 Å Si
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入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si
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C 系列
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D 系列
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主要应用
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从准直光源或光束的反向散射 - 角度相关测量（核物理）
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重离子的飞行时间测量（核物理）
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探测器类型
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环形部分耗尽的硅面垒
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平面全耗尽的硅面垒
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初始材料
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Si
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Si
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有效面积范围 (mm2)
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50-450
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10-450
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有效厚度范围 (µm)
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100-1000
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15-100
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保证工作温度范围*
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25°C 至
–30°C
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10°C 至
25°C
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二极管结构
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金 - N型硅铝部分耗尽
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金 - N型硅铝全耗尽平面
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标称等效** 窗口的截止能量
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入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si
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入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si
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F 系列
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R 系列
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主要应用
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重离子谱测量（核物理学）
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可在空气和环境光下进行的带电粒子谱测量
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探测器类型
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部分耗尽的硅面垒
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加固型部分耗尽硅
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初始材料
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Si
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Si
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有效面积范围 (mm2)
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100-900
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50-2000
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有效厚度范围 (µm)
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≥60
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100-500
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保证工作温度范围*
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+25°C 至
–30°C
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+25°C 至
–30°C
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二极管结构
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金 - N型硅铝部分耗尽高场强
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铝 - P型硅金部分耗尽
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标称等效** 窗口的截止能量
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入口
800 Å Si
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入口
2300 Å Si
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