订购时必须指定安装座。
除非另有说明，否则提供适用于厚度达40.0μm的E安装座；适用于厚度>40.0 μm的T型安装座。
*所有标准完全耗尽的探测器都以特定的角度从母晶体上偏轴切割，这将最大限度地减少离子穿隧效应。可为特殊订单提供更大的面积。可为特殊订单提供其他面积和深度。
**型号的前三位数字表示使用标准ORTEC电子设备和0.5-μs整形时间常数测得的总系统噪声宽度。噪声宽度针对每个范围和指定标称面积的最小厚度（最大电容）给出。对于高电容单元，性能取决于实际厚度和面积。
注:兼容Alpha套件的探测器:ENS-系列(购买新系统时含安装和测试)、ENS8系列(新系统的8包备件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探测器型号保证与Alpha套件产品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探测器都需要经过特殊批准以保证其兼容性及指标规格。
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有效面积 (mm2)
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最大厚度变化（μm）
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耗尽深度15 µm
范围7-15µm
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耗尽深度25 µm
范围15.1-25µm
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耗尽深度40 µm
范围25.1-40µm
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型号
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型号
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型号
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10
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±0.5
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D-020-010-15
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50
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±0.5
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D-035-050-15
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D-035-050-25
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D-020-050-40
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150
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±1.0
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D-060-150-25
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D-035-150-40
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300
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±1.0
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D-095-300-25
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D-055-300-40
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450
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±3.0
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D-100-450-25
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D-090-450-40
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有效面积 (mm2)
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最大厚度变化（μm）
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耗尽深度50 µm
范围40.1-65µm
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耗尽深度75 µm
范围65.1-85µm
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耗尽深度100 µm
范围85.1-110µm
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型号
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型号
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型号
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50
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±0.5
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D-015-050-50
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D-015-050-75
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D-015-050-100
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150
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±1.0
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D-030-150-50
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D-030-150-75
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D-025-150-100
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300
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±1.0
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D-045-300-50
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D-040-300-75
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D-030-300-100
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450
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±3.0
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D-070-450-50
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D-060-450-75
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D-060-450-100
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